갤럭시S6 반도체 기술은 삼성의 효자손

이번에 삼성전자가 출시한 갤6S가 큰 화제로 떠오르고 있다. 거기에 숨은 비결은 무엇일까. 아무래도 삼성의 신기술을 꼽을 수 밖에 없다. 물론 과거 갤럭시 시리즈와 디자인면에서 차별화한 점도 주목을 받고 있지만 저전력으로 고충전 가능한 무선충전방식과 10분충전에 4시간 사용가능한 배터리 효율을 극대화했다는 점이 높게 평가되고 있다. 일부 사용자들은 과거의 갤럭시 시리즈의 배터리 소모가 심한 것을 아직도 연상하며 갤럭시S6를 비난하기도 했다. 그러나 과거와 달라진 새로운 기술이 접목된 삼성의 갤6S 제품을 천천히 들여다 볼 필요가 있는 것이다.

 

 

 

 

삼성전자는 세계 최고의 반도체 신기술을 보유하고 있다. 이런 기술을 '갤럭시S6' 제조과정에서 녹아 들아간 것. 이것이야말로 세계최강이라 자부하는  삼성의 반도체 기술을 다시 한 번 보여주는 계기가 된 것이라 생각된다. 홍보도 필요없이 바로 입증할 수 있는 샘이라 효과는 1석2조다. 최신 스마트폰 갤6S, 갤6S 엣지를 홍보함은 물론 제조과정에서 투입된 반도체 기술을 보여준 것이다. 신형 애플리케이션프로세서(AP)와 20나노 저전력 모바일 D램, 차세대 메모리 등 반도체 최신기술을 갤럭시S6에 쏟아 부어 삼성이 만들어 냈다. 갤럭시S6와 경쟁할 다른 제조사도 플래그십 스마트폰에서 유사 스펙을 따를 것으로 예상, 삼성 전자 반도체 시장 지배력이 높아질 전망이다.

 

 

 

 

3월2일 삼성전자는 자사 최신 반도체 기술을 갤럭시S6에 대거 탑재하는 기염을 토해냈다. 모바일 D램은 8기가비트(Gb) 20나노 LPDDR4를 불어 넣었다. 이전 버전에 비해 전력소비는 40%줄였고 처리속도는 2배나 빨라진 것으로 나타났다. 현재 20나노로 LPDDR4를 양산할 수 있는 곳은 삼성전자가 유일하다. 다른 경쟁사는 29, 25나노 제품만을 내놓고 있지만 삼성이 이번에 최초로 내놓은 것이다.

 

 

 

 

신개념 저장장치인 초고속 대용량 내장메모리 '유니버셜 플래쉬 스토리리지(UFS)' 2.0 버전 기술도 적용되었다. 128기가바이트(GB) 용량으로 솔리드 스테이트 드라이브(SSD)에 적용해온 기능을 탑재해 기존 고성능 내장메모리 eMMC 5.0 보다 읽기 속도는 2.7배 빠르고 소비 전력은 절반으로 줄였다. 초고해상도 (UHD) 콘텐츠를 보면서 다른 작업을 동시에 할 경우 처리 속도가 늦어지는 문제점을 개선한 것이 큰 변화라 할 수 있다. 스마트폰용 UFS 양산 역시 삼성전자가 최초로 양산에 나선 것이다.

 

AP는 14나노 3차원(3D) 핀펫 기술이 적용된 삼성전자 '엑시노스7420'을 적용했다. 그 동안 시장 절대강자로 군림하던 퀄컴의 신형 AP인 '스탭드래곤810'보다 스펙상에서 앞서 있다. 올해 삼성전자 시스템LSI사업은 엑시노스7420과 차세대 공정으로 큰 폭의 실적 확대를 노리고 있다. 갤럭시S6는 새로운 반도체 공정기술을 사용했다. '이팝(ePOP)' 솔루션은 D램과 낸드플래시, 컨트롤러를 AP에 바로 쌓을 수 있도록 했다. 이것은 스마트폰 이용공간 최적화를 도와 공간을 절약할 수 있는 효과를 불러온다. 이것은 향후에 다양한 웨어러블 기기로도 활용될 기술로 손꼽혀 이용가치가 높다고 보여진다. 20나노 LPDDR4와 UFS, 이팝은 삼성전자만 제공할 수 있는 대체 불가능한 반도체 기술이다. 갤럭시S6가 경쟁력 확보는 물론이거니와 삼성전자 반도체 기술 우위도 확인 시켜준 것이다. 최신 스마트폰이 삼성의 신기술과 성능으로 무장했고 디자인 역시 과감하게 기존 방식을 탈피한 메탈 소재에 글래스까지 더해 프리미엄을 더했으니 승부를 해볼 수 있지 않을까 조심스러운 관측도 쏟아져 나온다. 삼성의 반도체 기술은 갤6S의 승패와 밀접한 관련이 있다고 해도 과언이 아닐 것이다.